内媒报道,中国工信部印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024 年版)》通知,电子专用装备列表包括「氟化氩光刻机」的深紫外光光刻机设备,核心技术指标是「晶圆直径300mm,照明波长248nm,65纳米以下分辨率,以及8纳米以下套刻能力,意味着这部国产DUV可生产8纳米及以下晶片。
此前美国及荷兰收紧对中国的光刻机等的晶片设备出口,报道指若中国能制造生产8纳米及以下的光刻机,意味着未来绝大多数晶片制造都不会再受ASML控制。(mn/w)
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