国家发改委价格监测中心发文称，2025年9月至今，受需求「爆发式」增长、产能「断崖式」紧缺等因素影响，全球储存器市场缺口扩大，储存芯片价格持续上涨，近1个月多以来，涨幅呈现扩大态势，建议关注储存晶片对下游价格的影响。调研反映，截至今年1月，储存芯片两大主要产品DRAM和NAND闪存价格均创2016年有数据以来最高。以主流型号为例，1月DRAM(DDR4 8Gb 1G*8)合约平均价格为11.5美元，比去年12月上涨约24%，比2025年9月上涨约83%；NAND闪存(128Gb 16G*8 MLC)合约平均价格为9.5美元，比去年12月上涨约65%，比2025年9月上涨近1.5倍。
国家发改委价格监测中心还表示，当前，储存芯片正处於上涨周期。年内来看，在AI服务器算力需求持续增长的带动下，全球储存晶片市场供不应求局面仍将持续，储存晶片价格将延续上涨态势。储存晶片价格上涨正逐步传导至消费电子终端产品。厂商通过减配的方式缓解成本上涨压力的空间有限，上调终端价格将成为普遍趋势。
目前联想(00992.HK) -0.190 (-1.953%) 沽空 $3.15亿; 比率 49.643% 、戴尔、惠普等主要电脑厂商均已发布调价函，涨幅普遍在500至1,500元人民币(下同)之间，小米(01810.HK) -1.580 (-4.527%) 沽空 $9.68亿; 比率 28.929% 、vivo等国产新发售机型相同储存配置版本价格较上一代上涨300至500元。受储存晶片价格上涨及对下游的传导影响，PPI方面，计算机、通信及其他电子设备制造业分项价格有望止跌企稳，对PPI的拖累作用有所减弱。(wl/w)
(港股报价延迟最少十五分钟。沽空资料截至 2026-02-27 16:25。)
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