截至2026年3月5日 09:41，科创芯片设计ETF(588780)上涨2.38%，盘中换手3.68%，成交3422.97万元。成分股佰维存储上涨12.72%，东芯股份上涨6.21%，安路科技上涨5.95%，成都华微，慧智微等个股跟涨。
半导体ETF(512480)上涨2.05%，成交3.16亿元，成分股佰维存储上涨12.72%，晶合集成上涨6.25%，东芯股份上涨6.21%，成都华微，北京君正等个股跟涨。
科创芯片设计ETF(588780)具备20%涨跌幅的弹性收益，跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比超九成，“含芯量”满满，瞄准半导体高景气度细分赛道，体现核心算力板块趋势。科创芯片设计ETF(588780)是跟踪科创芯片指数的同类产品中，成立时间最早、规模最大的产品。
此外，半导体ETF（512480）备受市场关注，是目前唯一跟踪中证全指半导体指数的ETF，一键布局中国半导体全产业链更均衡。场外联接(A类：007300；C类：007301)。
消息面，当地时间3月4日，美股存储芯片板块集体走强，美光、闪迪、西部数据等龙头大幅收涨，带动科技板块回暖。业内普遍认为，本轮上涨由AI算力需求持续爆发、存储芯片行业周期向上、NAND与DRAM价格上调预期共同驱动，行业供需格局持续改善，龙头盈利与估值同步修复。美股存储板块强势表现，有望带动全球半导体产业链情绪升温。
根据业内消息，SK海力士正推进一项封装架构改良方案，核心措施包括增加DRAM芯片厚度以及缩小DRAM层间距，目前该技术正处于验证阶段。若成功实现商业化，这一方案有望帮助SK海力士达成英伟达对第六代HBM4设定的顶级性能指标，并为后续产品的性能提升奠定基础。
国投证券指出，国产算力需求侧呈现多维度共振：海外云厂商资本开支已进入新一轮上行周期，其算力迭代节奏同步牵引全球设备需求，为我国云计算投资提供周期性机遇；芯片管制不断升级，从硬件延伸至软件、人才乃至云服务，形成全链条封锁，反而倒逼国内形成以“自主可控”为核心的政策与产业共识；中国自上而下全面布局，以“东数西算”国家工程为牵引，结合地方“算力券”“模型券”等创新激励，构建起覆盖战略规划、基础设施建设与场景开放的完整政策体系；同时，以DeepSeek-V2 为代表的轻量化模型技术取得突破，通过稀疏混合专家架构（MoE）等创新，在保持高性能的同时大幅降低训练与推理的算力负担，为国产芯片切入主流AI 应用扫清了关键的性能门槛。
风险提示：以上所有信息仅作为参考，不构成投资建议，一切投资操作信息不能作为投资依据。投资有风险，入市需谨慎。
注：“成立最早、规模最大”指截至2026.3.4，科创芯片设计ETF为全市场跟踪上证科创板芯片设计主题指数的ETF中，成立时间最早、规模最大的产品。
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