美國對中國晶片的制裁似乎正在奏效。技術分析機構 Techinsights 對華為最新的鴻蒙折疊電腦進行拆解後發現，其內部晶片仍採用 2023 年的製程技術，顯示中國在更先進晶片的量產能力上仍受限於技術與設備瓶頸。

美國商務部負責出口管制的官員凱斯勒（Jeffrey Kessler）近日也在國會聽證會上指出，雖然美國無法完全阻止中國取得先進晶片，但已成功拖慢中國企業在晶片技術上的升級速度。

美國商務部雷蒙多（Gina Raimondo）也多次指出，儘管中國成功突破美國的制裁，但中國技術僅停留在 2023 年等級，未構成全面威脅。

與拜登政策不同，川普政府反對使用美國納稅資金補貼外國企業。他提倡提高關稅，迫使台積電、三星等海外晶片製造商主動在美設廠。

美國強勢介入，中國無法取得 EUV 成轉折點

專家指出，由於缺乏 EUV 設備支援，中國目前的晶片製造主要停留在 14 奈米的 FinFET 技術階段。雖然本土團隊已掌握 7 奈米技術，但缺乏高階設備讓其無法進入實際測試與量產階段。

在 2018 年，中芯國際 (688981-CN) 執行長梁孟松曾與荷蘭晶片設備商艾司摩爾 (ASML.US)      簽約，購買 EUV 曝光機。雖合約合法，但美國於 2020 年介入施壓荷蘭政府，成功阻止設備出口給中國企業，重創中國晶片製造設備布局。

艾司摩爾現任執行長福克（Christophe Fouquet）表示，美國封鎖 EUV 出口對中國影響深遠，幾乎切斷其獲取先進晶片的機會，預估中美之間的晶片技術差距將因此拉大至 10 至 15 年。

DUV 設備成現階段替代方案，中國應用多重曝光技術

儘管如此，在外部壓力下，中國已開始強化晶片技術自主發展。據統計，國家大基金第一期與第二期累計投資規模超過 4000 億元人民幣，投入本土晶片技術研發與產能建設，尋求技術突圍。

艾司摩爾技術長布令克（Martin van den Brink）表示，中國企業目前手中仍擁有數百台浸潤式 DUV 設備。雖然技術層次不及 EUV，但透過多重曝光方式，仍能生產出部分先進晶片，成為中國現階段可行的技術路線。

浸潤式 DUV 技術發明人、前台積電副總裁林本堅指出，中國目前處於晶片發展的技術瓶頸期，但在極端限制壓力下，反可能激發前所未有的創新能量。他提醒全球不應低估中國在晶片技術上的潛力與韌性。