4月17日|長電科技宣佈成功完成基於玻璃通孔(TGV)結構與光敏聚酰亞胺(PSPI)再佈線(RDL)工藝的晶圓級射頻集成無源器件(IPD)工藝驗證,通過測試結構的試製與實測評估,公司驗證了在玻璃基底上構建三維集成無源器件的可製造性與性能優勢,為5G及面向6G的更寬帶寬射頻前端與系統級封裝優化提供了新的工程化路徑。