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据报三星拟使用台积电(TSM.US)3纳米工艺 为英伟达(NVDA.US)生产下一代内存晶片
2026-10-20 16:56:34
南韩《首尔经济日报》引述消息报道，三星电子计划使用台积电(TSM.US)的3纳米工艺，为英伟达(NVDA.US)下一代定制高带宽内存生产基底裸片。
据悉，英伟达已要求三星、SK海力士(SKHY.US)和美光(MU.US)在其定制NVHBM产品的基底裸片生产上，统一采用台积电3纳米工艺。英伟达希望各供应商统一制造流程，保障产品性能一致。(jl/da)~
阿思达克财经新闻
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