近期韓國半導體巨頭三星與美國科技大廠輝達 (NVDA.US) 在高頻寬記憶體（HBM）領域的合作傳聞再度升溫。有報導稱，三星已正式開始向輝達供應 12-Hi HBM3E 記憶體堆疊，使三星在高階 HBM 記憶體市場上取得重要突破。
根據科技外媒報導，過去一年，三星在 HBM 技術的發展歷程多次調整。最初三星計劃以 HBM3 產品供貨輝達，但由於散熱問題，使輝達不得不轉向 HBM3E。
根據韓國媒體的報導，如今，三星已經成功打入輝達供應鏈，預計將供應 3 萬至 5 萬塊 12-Hi HBM3E 記憶體，這些記憶體將可能整合於輝達即將推出的 Blackwell Ultra 系列產品中。
此前有報導稱，為了穩固在輝達供應鏈中的地位，三星積極調降 HBM3E 產品價格，藉此與競爭對手 SK 海力士正面競爭。鑑於輝達樂於看到更高的利潤率，降價似乎對三星有利。
基於三星擁有 HBM 領域最大的生產線之一，降價將使其更具優勢。透過提供更具競爭力的 HBM3E 價格，三星將迫使競爭對手降價，或讓出更多市場。
除此之外，三星在 HBM4 技術上的快速進展，以及其獨立的半導體與邏輯晶片生產線，使其在市場上擁有明顯的戰略優勢，並能為客戶提供更大的彈性與整合能力。
儘管三星尚未正式公開證實此消息，但在第二季財報電話會議中，三星已透露其 HBM 業務正快速成長。
對於因 HBM 產品競爭力不足而失去大量 DRAM 市場佔有的三星來說，成功打入輝達供應鏈無疑是一項關鍵性突破。
(美股為即時串流報價； OTC市場股票除外，資料延遲最少15分鐘。)新聞來源 (不包括新聞圖片): 鉅亨網