《路透》引述消息報道，中國科學家在深圳一處高度保密的實驗室內，建造了一台極紫外光刻機(EUV)原型機。

消息指，該原型機幾乎佔據整個廠房樓層，在年初完成並正進行測試，目前已可運作並成功產生極紫外光，尚未生產出可運作的晶片。消息指，中國政府目標2028年前使用該原型機生產出可運作晶片，但項目相關人士表示，更現實目標為2030年。

相關內容《業績》華虹半導體(01347.HK)首季純利2,092.9萬美元 按年增458.1%
消息又指，該光刻機由一群荷蘭光刻機生產商ASML前工程師組成的團隊建造，他們逆向建造該EUV。(fc/w)