英诺赛科(02577.HK) +5.500 (+7.106%) 沽空 $2.42千万; 比率 3.585% 表示,作为唯一实现1200V至15V氮化镓(GaN)量产的企业,目前正与英伟达(NVDA.US) 合作,为800 VDC电源架构提供支持,其中通过英诺赛科第三代GaN技术,在800V输入侧与碳化硅(SiC)相比在每个开关半周期内可降低80%的驱动损耗和50%的开关损耗,从而实现整体功耗降低10%。
公司指,在54V输出端,仅需16颗英诺赛科GaN器件即可实现与32颗硅MOSFET相同的导通损耗,能将功率密度提升一倍,并令驱动损耗降低90%。与现有机架架构中的硅MOSFET相比,800 VDC的低压电源转换阶段采用GaN材料可将开关损耗降低70%,并在相同体积内实现功率输出提升40%,大幅提升功率密度。(gc/j)(港股报价延迟最少十五分钟。沽空资料截至 2025-10-14 12:25。) (美股为即时串流报价; OTC市场股票除外,资料延迟最少15分钟。)
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